联系人:
所在地:
本项目旨在通过多晶硅片太阳能电池制作原理的研究,并结合PL(光致发光)关联硅锭、硅块、电池分析,分析硅块红边宽度、硅片少子寿命、硅片PL黑边宽度、电池工艺(扩散工艺、烧结工艺)、电池EL黑边分析,找出关键影响因素并量化。并研究铸锭涂层工艺、长晶工艺、硅片退火工艺的改进完善,以解决“硅片黑边”问题,提高硅片品质,满足客户的要求。 主要技术性能指标: 1、AB区(靠坩埚)硅块低少子寿命红边的平均宽度降低到5mm以下; 2、AB区硅片制作成电池测试EL为零黑边。 本项目采用了硅微粉和氮化硅材料,开发了一种新型坩埚复合涂层技术,改善了铸锭热场结构,减少了坩埚中金属杂质的扩散,同时开发了开方校正装置和少子寿命红边管控软件,使得靠坩埚壁硅块低少子寿命区域“红边”宽度小于12mm,硅片制作的电池“黑边”比例由7.77%降至零,提高了硅片品质。