[00112663]增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法,其包括：n^+型GaN衬底（1）、n^-型GaN漂移层（2）、n型GaN孔径层（3）、电流阻挡层（4）、GaN沟道层（6）和势垒层（7）,势垒层上两侧淀积有源极（11）,源极之间的势垒层上有p^+型GaN帽层（8）,p^+型GaN帽层两侧刻有台阶（9）,p^+型GaN帽层上淀积有栅极（12）,n^+型GaN衬底下淀积有漏极（13）,钝化层（14）包裹除漏极底部以外的所有区域,钝化层内两侧有阶梯场板（15）,阶梯场板与栅极电气连接,钝化层和阶梯场板上有保护层（16）。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小,可用于电力电子系统。
