[00112791]一种动态体偏置施密特触发器电路
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技术详细介绍
本发明公开了一种动态体偏置施密特触发器电路,利用体偏置技术控制第一NMOS晶体管（10）、第一PMOS晶体管（11）的体区电压,改变第一NMOS晶体管（10）、第一PMOS晶体管（11）的阈值电压,进而形成双开关阈值的施密特触发器电路的实现。当输入信号为低电平时,在第二NMOS晶体管（12）、第二PMOS晶体管（13）、NMOS体控制电路（14）与PMOS（15）控制电路作用下,施密特触发器呈现出高开关阈值V+。同样,当输入信号为高电平电平时,在第二NMOS晶体管（12）、第二PMOS晶体管（13）、NMOS体控制电路（14）与PMOS（15）控制电路作用下,施密特触发器呈现出低开关阈值V-。
