[00115592]基于相变纳米线的片上集成全光非易失性存储器的研究
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技术详细介绍
通过按照研究计划的实施,取得了该项目预期成果。 首先,建立了纳米线形貌与工艺条件参数之间的关系,阐明了Ge-Sb-Se纳米线的VLS生长机制 ,获得了高质量、密度的纳米线 ;其次,掌握了基于相变纳米线的全光存储器单元的制备及测试方法,获得了具有多级存储的、可重构光子器。 项目执行期间总共发表包括 Nano Letters在内的SCI收录学术论文6篇, 已授权国家发明专利2件,申请发明专利2件。培养研究生1名。
