[00116081]超薄（1-5nm）氧化硅对晶硅表面钝化及其在晶硅太阳电池应用研究
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技术详细介绍
晶硅表面高效钝化是提高晶硅太阳电池开路电压及转换效率的重要技术手段。传统高质量厚钝化膜需在与金属接触处开孔以使载流子有效传输,晶硅/金属界面高复合速率会降低开路电压。开发超薄介质层实现对晶硅表面的接触钝化,在有效降低晶硅表面复合速率的同时又不影响载流子的有效传输,有利于提高开路电压同时降低工艺成本。本项目采用低温（600-900oC）热氧化法制备超薄（1~5 nm）SiOx 钝化膜。在800oC/7 min 热氧化工艺下,得到优化的晶硅表面钝化效果：晶硅表面复合速率48 cm/s,晶硅少子寿命744 .s,晶硅电池的隐含开路电压（iVoc）658 mV。阐明热氧化SiOx 薄膜对晶硅表面的钝化受表面缺陷态密度和电荷量共同作用。本研究有利于提高晶硅太阳电池性能,同时也可为MIS、MOSFET 等其它光电器件提供借鉴。
