[00117520]8英寸区熔硅单晶

本项目通过采用自动拉晶系统减少人为干扰因素;通过设计特定合理的热系统、特型线圈,提高电磁托浮力,有效控制固液界面形状,形成具备成晶的温度梯度、悬浮力度等必要条件;改变放肩工艺,避免在转肩过程中造成回熔断苞;控制固液界面翻转,调整加热过程;选择合理的保护气氛,提出了在氩气氛中掺N2技术,解决常规保护气体高压电离问题;采用在保温桶和线圈之间额外增加一个反射器的方式,将熔区的辐射能量进行反射,降低单晶的散热速率,从而使单晶中心能够充分散热,降低中心应力,通过实施以上技术方法,可成功拉制8英寸区熔硅单晶,并已实现产业化。本项技术为国内首创,达到国际先进、国内领先水平。 由于区熔单晶硅生长技术门槛高,包括综合排名第三的天津市环欧半导体材料技术有限公司（以下简称环欧公司）的全球前5位公司垄断了全部产量的95.5%以上。目前处于领先地位的是日本信越公司（Shinetu）和德国Siltronic公司（德国Wacker公司控股）,区熔硅单晶在全球市场占有率达70%以上。环欧公司与上述两家公司最主要的差距表现在大直径区熔硅单晶的产销规模及区熔专用设备制造能力。本项目实施前,国内尚无公司具备8英寸区熔硅单晶生产能力,因此本产品属于原始创新。 本项目完成了8英寸区熔硅单晶的热场设计和制作,形成一套完整的具有自主知识产权的8英寸区熔硅单晶生长工艺,实现了国产化。本项目实施前,我国大直径IGBT基材完全依赖进口,成为制约我国IGBT器件行业发展的瓶颈。本项目实施后,实现了8英寸IGBT用区熔硅单晶国产化,打破了该项产品被国外企业长期垄断的局面,为尖端国防提供了基础保障。