[00117570]高压可控气氛下Eu-Pd-Si化合物单晶生长及磁性与输运性质研究
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技术详细介绍
采用高压浮区法研究了Eu2PdSi3、Lu2PdSi3、ErPd2Si2等稀土过渡金属化合物大体积单晶生长机理,确定晶体生长模式;研究晶体生长速度、加热温度、液相浮区尺寸、熔体对流强度等工艺参数对晶体相形成、微观结构、成分分布、晶体缺陷等的影响,优化晶体稳定生长的工艺参数,制备出高质量大体积单晶。针对高质量大体积单晶,研究了其晶体结构和与晶体趋向相关的磁有序转变、磁导率、电阻、磁电阻、比热等物理性能。
