[00118062]基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的SiN埋绝缘层上Ge晶圆顶层Ge层上淀积SiO2层;对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2层;在顶层Ge层上淀积张应力SiN薄膜或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜刻蚀成单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列,并对该晶圆进行退火,使非晶化层重结晶,使SiN埋绝缘层发生塑性形变;刻蚀掉SiN条状阵列,得到SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge。本发明应变量大,可用于制作SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge材料。
