[00118290]碳化硅晶片(SiCwafer)
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技术详细介绍
碳化硅（SiC）晶片是第三代半导体器件的关键基础材料，在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和广阔的市场前景。目前，SiC晶体生长及加工技术被国外少数公司垄断，国内所需的SiC晶片几乎全部依赖进口。中科院物理所自1999年开展SiC晶体生长研究工作，研发了具有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉，在攻克了晶体生长关键技术并获得高质量晶片之后，率先在国内开展了SiC晶体生长技术的产业化工作，2006年8月与上海汇合达投资管理有限公司、新加坡吉星蓝光科技有限责任公司共同成立了国内第一家致力于SiC晶片研发、生产和销售的公司——北京天科合达蓝光半导体有限公司。2007年7月，第一批中试批量生产的6H和4H晶型SiC晶片产品已经下线（见图）并发住国内用户，这标志着SiC晶片的国产化进入了一个新阶段。
