[00119282]宽带低电场增强反射金属介电光栅
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技术详细介绍
一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅,其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜层、金膜层和熔融石英层,在熔融石英层上刻蚀矩形槽光栅,该光栅的周期为558～567纳米,占空比为0.15～0.25,刻蚀深度为620～622纳米,连接层厚度为488～492纳米。本发明在TE偏振光以76～78度角入射时,可以实现80纳米波长带宽内（1010～1090 纳米）光栅内部最大电场电场强度增强低于2,至少20纳米波长带宽内（1040～1060纳米）-1级衍射效率高于90%。
