[00119365]低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件,自下而上包括衬底层（1）、成核层（2）、缓冲层（3）和势垒层（4）,势垒层的两端分别设有源电极（5）和漏电极（6）,其中源电极（5）与漏电极（6）之间的势垒层上依次设有SiN钝化层（7）和BN钝化层（8）,该两层钝化层的中部刻蚀有开孔,开孔中引出半浮空栅电极（9）。本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层,较传统钝化技术相比,减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容,降低了器件的频率损耗,可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。
