[00119834]GaAs微电子集成器件
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技术详细介绍
本发明提供了一种GaAs微电子集成器件,其包括外延层、三个器件结构层,外延层包括衬底和N-GaAs集电区,三个器件结构层、第二器件结构层与第三器件结构层均形成在该集电区上,且相互通过器件隔离区隔离;第一器件结构层包括第一P-GaAs基区、第一N-InyGa1-yP发射区、第一N+-InzGa1-zAs帽层、器件隔离层、AlN薄膜层和SAW电极;第二器件结构层包括第二P-GaAs基区、第二N-InyGa1-yP发射区和第二N+-InzGa1-zAs帽层;第三器件结构层包括第三P-GaAs基区;第二器件结构层与第三器件结构层均具有N型电极和P型电极。本发明能够实现射频接收前端的器件极集成。
