技术详细介绍
本发明公开了一种探测波长为250-300nm的谐振腔结构的氮化镓(GaN)紫外肖特基型和光导型探测器，其核心是通过利用电介质材料(例如HfO2和SiO2)构成高反射率的反射镜来取代传统需要由高Al的AlxGa1-xN(0.8≤x＜1)材料来构成反射镜，同时把器件的光敏部分和宝石衬底一起放入由上下反射镜构成的谐振腔中，避开了高Al含量反射镜制备上的难题，只需利用常规的半导体器件工艺就可实现探测波长为250-300nm的谐振腔结构的氮化镓紫外探测器的制备。
本发明公开了一种探测波长为250-300nm的谐振腔结构的氮化镓(GaN)紫外肖特基型和光导型探测器，其核心是通过利用电介质材料(例如HfO2和SiO2)构成高反射率的反射镜来取代传统需要由高Al的AlxGa1-xN(0.8≤x＜1)材料来构成反射镜，同时把器件的光敏部分和宝石衬底一起放入由上下反射镜构成的谐振腔中，避开了高Al含量反射镜制备上的难题，只需利用常规的半导体器件工艺就可实现探测波长为250-300nm的谐振腔结构的氮化镓紫外探测器的制备。
