[00120610]6英寸新型电力电子器件用硅外延片

硅外延是一种半导体材料薄膜生长技术，即将硅衬底在还原性气氛中加热，并输入硅源和掺杂气体，使之反应，生成硅原子淀积在衬底上，长出具有与衬底相同晶向的硅单晶层，其电阻率和厚度符合特定要求。电力电子器件又可称为开关器件，其工作过程就是能量过渡过程。随着关键技术的突破以及需求的发展，早期的小功率、低频、半控型器件发展到了现在的超大功率、高频、全控型器件，新型电力电子器件向着大功率、易驱动和高频化方向发展，大大提高了开关控制的灵活性，这些器件主要有电力场控晶体管（功率MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、静电感应晶体管（SIT）、静电感应晶闸管（SITH）和MOS控制晶闸管（MCT）等。作为发展最为迅速的新型电力电子器件，VDMOS和IGBT均采用超大规模集成电路的微细加工工艺技术制作，其基片材料为特殊规格的硅外延片。国内资深的硅外延片生产企业--南京国盛电子有限公司充分发挥自身的技术优势，在4、5英寸硅外延片产业化的基础之上，自主设计了外延生产特气输送供应系统，采用特殊规格的重掺杂单晶衬底，开发HCl变温气相腐蚀技术、外吸除技术、H2高温退火技术以及多层结构外延生长技术，提高外延层专用测试技术的测量精度及稳定性，优化外延生产流程、工艺条件以及过程控制技术，通过改善量化指标提高过程控制能力，经过3年多的技术攻关和持续改进，形成了一整套自主知识产权的6英寸VDMOS与IGBT硅外延片批量生产工艺技术，同时申请了多项国家专利。