[00120804]封装密度大高频性能好的IC芯片堆叠封装件及制造方法

1、课题来源与背景 本课题来源为自选。随着电子市场对更小、更轻、更薄的各种多功能手机需求的扩大和PAD级别的电子器件应用的增长,促使电子工业集成电路封装向小型化、多功能方向发展,堆叠封装已成为满足产品更小、更轻、更多功能的一种重要的技术手段。它使单个封装体内可以堆叠多个IC芯片,实现有限空间的容量的倍增;它将芯片直接互连,促使键合线明显缩短,信号传输更快且受到的干扰更小;并且,同本封装件类产品芯片叠加,内存更大,多个不同本封装件功能芯片堆叠在一起,可使单个封装实现更多功能,具有功耗低、速度快等优点。随着减薄、划片、上芯、键合、塑封等工艺水平的提高,堆叠封装技术可以满足不同本封装件客户多叠层、多引脚、高密度、高可靠性及封装多结构多样化的要求。但目前的引脚数少和高线弧叠层的QFN及其它封装形式不能满足于多I/O低弧度焊线的要求,制约产品封装密度,影响高频性能的局限性问题。 2、技术原理及性能指标 本发明所采用的技术方案是：一种封装密度大高频性能好的IC芯片堆叠封装件,包括引线框架和塑封体,引线框架采用多圈QFN引线框架时,引线框架上堆叠有至少两层IC芯片,且IC芯片总层数为偶数,处于奇数层的IC芯片为不带凸点IC芯片,处于偶数层的IC芯片为带凸点IC芯片,带凸点IC芯片倒装,第一层不带凸点IC芯片通过第一键合线与第一内引脚相连接,其余不带凸点IC芯片通过通过键合线与第二内引脚相连接;引线框架采用AAQFN引线框架时,引线框架上堆叠有至少两层IC芯片,且IC芯片总层数为偶数,处于奇数层的IC芯片为带凸点IC芯片,处于偶数层的IC芯片为不带凸点IC芯片,带凸点IC芯片倒装,第一层带凸点IC芯片上的凸点与第一内引脚相连接,所有不带凸点IC芯片通过键合线与第二内引脚相连接。所述带凸点IC芯片的尺寸小于相邻的不带凸点IC芯片的尺寸;相邻两IC芯片之间通过高温UV膜粘接。 本发明所采用的另一个技术方案是：一种上述封装密度大高频性能好的IC芯片堆叠封装件的制造方法,具体按以下步骤进行： 步骤1：减薄划片 步骤2：上芯 步骤3：塑封及后固化 步骤4：分离引脚 步骤5：化学镀 步骤6：采用现有多圈QFN封装件的工艺进行打印、分离产品、检验、测试、包装,制得封装密度大高频性能好的IC芯片堆叠封装件。 3、技术的创造性与先进性 本发明的创造性是提供了一种多圈QFN的IC芯片堆叠封装件,引脚数较多,且低线弧叠层,提高了产品的封装密度。本发明的另一个创造性是提供了一种上述堆叠封装件的制造方法。本发明制造方法可以根据客户需要,在裸铜框架板上自主设计开发高密度窄节距引线框架,以及适合倒装上芯及下填充、塑封;框架背面减薄、多次钝化及蚀刻、生长金属层、制作UBM层及植球的生产制造工艺,制造的AAQFN堆叠封装产品,替代基板生产的CPS,实现IC芯片灵活应用于引线框架的CSP封装,相比基板生产的CPS提高了生效率及节约了生产成本。 本发明技术已达到国内领先水平。 4、技术的成熟程度,适用范围和安全性。 本发明技术处于初期阶段,该产品主要应用于电子产品,安全可靠。 5、应用情况及存在的问题 目前,应用该技术生产的产品客户正在考核中,待后期开发市场。 6、历年获奖情况 暂无。