[00121512]磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
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技术详细介绍
利用本专利方法生长的InP缓冲层，可以作为下波导包裹层，有效裁剪下波导层包裹层的折射率，实现了对激光器有效的光学限制和自由载流子限制；或作为量子级联激光器的高台面深度腐蚀的腐蚀终止层，防止中红外量子级联激光器有源区电流向衬底扩散，降低量子级联激光器的阈值电流密度；或作为来自衬底缺陷和外来杂质的吸收层，改善衬底和外延层界面质量。 本成果已应用于制备5-10微米中红外F-P腔和7.4-8.6微米DFB系列量子级联激光器材料和器件，获得优良品质，证明了该发明专利的可应用性。 本发明成果为国际上首先提出和采用InP作为量子级联激光器的缓冲层，并且是作为多功能缓冲层，该发明专利为国际领先。
