[00121539]深紫外LED制备和应用技术研究
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技术详细介绍
本课题的实施以提高关键材料质量为基础,通过外延工艺和条件的改进,获得高质量的AlN模板,进而在此基础上获得了高质量高Al组分的AlGaN材料;采用理论计算与实验验证相结合,针对p-AlGaN的掺杂难题的方法,创造性提出“3D极化诱导空穴气”技术,设计新型的紫外LED外延结构;同时优化改善器件工艺和封装技术,从而成功实现毫瓦级深紫外LED器件;面向应用需求特点,开发出具有杀菌消毒、净化处理和验伪功能的紫外光源模块。
