[00121708]一种银包铜粉的制备方法
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技术详细介绍
随着电子技术的不断发展,要求在越来越小的空间上安装更多的器件,但遇到最大的问题是金属迁移,尤其是银迁移将会使相邻导体之间的绝缘电阻下降,漏电流增加,严重的甚至有短路、电弧、介质击穿现象发生。据文献报道,金属迁移是许多微电路发生灾难性失效的主要原因之一。它已成为电子产品迈向小型化、高集成化的一大难题。铜的导电性能好,价格便宜,是银理想的替代材料。但是由于超细铜粉的化学性能比较活泼,易氧化,给铜粉的大规模生产带来极大的困难。近年来为提高铜粉的抗氧化能力,国内外先后采用硼酸溶液处理、磷酸盐溶液处理以及包覆等方法进行过许多尝试和探索。其中以银包铜粉的方法最为可靠,认为很有应用前景,成为研究的重点。 目前公开的银包铜粉的制备方法均采用一步法加入硝酸银,无法保证所有铜粉表面都形成晶点后再生长,最终导致铜粉包覆不完全,影响导电性能。有鉴于此,为了解决上述问题本发明提供一种先形成晶格稳定后再逐步生长的方法制备银包铜粉,本发明提供的制备的银包铜粉具有良好的导电性等特点。
