[00122118]一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法
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一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法提供一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延技术,解 决了液相外延技术无法低温制备变组分GaAs1-xSbx薄膜材料的难题。 薄膜生长温度低于550℃,变组分是指 GaAs1-xSbx薄膜中的Sb组分含量x可以在0-0.15之间改变。方法具体步骤如下：第一步,熔源的称量,第二步,熔源的两次高温熔融,第三步：生长。本方法特征在于Sb组分并非按照相图配制。本发明的优点在于：可以在低温下获得GaAs1-xSbx变组分薄膜,且制备工艺简单,工艺成本低,晶体质量高。
