[00122560]一种非对称快速晶闸管

本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时,存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片;半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70%,P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本发明具有在应用于串联逆变时,能明显降低通态压降,从而改善通态能力和提高工作可靠性,同时可更优化内部结构,降低大注入的储存电荷,改善恢复软度的特点,主要用于大功率串联逆变电源装置。 本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时,存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片;半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70%,P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本发明具有在应用于串联逆变时,能明显降低通态压降,从而改善通态能力和提高工作可靠性,同时可更优化内部结构,降低大注入的储存电荷,改善恢复软度的特点,主要用于大功率串联逆变电源装置。本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时,存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片;半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70%,P1阳极区1中设有P+高浓度区8。 本发明具有在应用于串联逆变时,能明显降低通态压降,从而改善通态能力和提高工作可靠性,同时可更优化内部结构,降低大注入的储存电荷,改善恢复软度的特点,主要用于大功率串联逆变电源装置。本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时,存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片;半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70%,P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本发明具有在应用于串联逆变时,能明显降低通态压降,从而改善通态能力和提高工作可靠性,同时可更优化内部结构,降低大注入的储存电荷,改善恢复软度的特点,主要用于大功率串联逆变电源装置。 本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时,存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片;半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70%,P1阳极区1中设有P+高浓度区8。本发明具有在应用于串联逆变时,能明显降低通态压降,从而改善通态能力和提高工作可靠性,同时可更优化内部结构,降低大注入的储存电荷,改善恢复软度的特点,主要用于大功率串联逆变电源装置。本发明的名称为一种非对称快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有快速晶闸管在应用于串联逆变时,存在压降大和动态特性较差等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片;半导体芯片的P1阳极区1的结深是阴极端P2区3结深的20～70%,P1阳极区1中设有P+高浓度区8。 本发明具有在应用于串联逆变时,能明显降低通态压降,从而改善通态能力和提高工作可靠性,同时可更优化内部结构,降低大注入的储存电荷,改善恢复软度的特点,主要用于大功率串联逆变电源装置。