[00123684]一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种MEMS微型高灵敏度磁场传感器及制作方法,其特征在于所述的磁场传感器是由双端固置式MEMS扭转微镜、磁性敏感薄膜和双光纤准直器构成;金属反馈电极和磁性敏感薄膜之间形成器件扭转间隙;通过调节架,利用光学封装树脂,完成与双光纤准直器的封接。其制作方法特征是利用MEMS技术制作微磁敏感结构与光纤检测技术结合,包括传感器基底及反馈电极制作、传感器磁场薄膜的制作、器件键合、整体减薄及反射镜面的制作以及器件扭转结构释放四大步骤,所提供的磁场传感器最小可敏感到60nT的微弱磁场,灵敏度达0．6dB／μT。有利于批量生产和器件成本的降低。
