[00123689]一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
成果一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法,其结构为：在半绝缘InP衬底上,依次生长N+型InP层,组分渐变的N+型InxAl1-xAs缓冲层,InxGa1-xAs吸收层,P+型InxAl1-xAs帽层,氮化硅SiNx钝化膜,P电极,加厚电极。钝化膜为感应耦合等离子体化学气相沉积技术生长低应力氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：采用低应力的氮化硅薄膜钝化,控制大面阵探测器芯片的翘曲度＜10μm,有利于实现低盲元率的焦平面器件;低应力氮化硅钝化膜的可靠性高;低应力氮化硅钝化膜的表面侧面钝化效果好。
