[00125024]共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法
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技术详细介绍
本发明将有助于加快探索新型相变材料的进程,为研究纳米尺度下相变存储器的性能提供有效的方法,有利于进一步促进相变存储器的发展。本发明的特征在于,在（100）取向的硅片上面,应用化学气相沉积的方法首先制备一层SixN介质层,其厚度控制为300～500nm;然后使用磁控溅射的方法沉积300nm厚的Al/Ti/TiN,各层相应厚度为150nm/100nm/50nm,作为底层电极材料;于底层电极材料上利用离子束法沉积厚度为100nm的氧化硅作为介质层;利用电子束曝光结合反应离子刻蚀的方法制备一系列60nm直径的氧化硅孔;利用光刻剥离的方法于底电极上沉积100nm厚的相变材料层;利用离子束沉积法溅射厚度为100nm的氧化硅作为绝热保护层,最后利用纳米探针可实现快速的材料电学性能的测试。
