[00125320]基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器,主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底（8）、p型缓冲层（7）、浓度为3.5～4×1017cm-3的n型沟道（6）、n型缓冲层（5）和欧姆接触层（4）,欧姆接触层上淀积源漏极（2）,n型缓冲层上淀积半透明肖特基接触层（1）,该肖特基接触层由高势垒肖特基金属Au/Ti/Pt构成,其埋入n型缓冲层（5）的深度为0.06～0.08μm,栅极和源漏极以外的表面区域覆盖有一层SiO2钝化层（3）。本发明具有抗辐照能力强、能量转换效率高、探测效率高的特点,可用于核能中对β射线的探测。
