[00125899]一种低温烧结的磁电复合介质厚膜材料及其制备方法
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技术详细介绍
一种低温烧结的磁电复合介质厚膜材料及其制备方法,按xNi0.37Cu0.20Zn0.43Fe1.92O3.88/（1-x）Ba0.6Sr0.4TiO3的体积比将Ni0.37Cu0.20Zn0.43Fe1.92O3.88和Ba0.6Sr0.4TiO3粉体混合均匀,其中0.2≤x≤0.8;再加入BaCu（B2O5）和有机载体得到厚膜浆料;将厚膜浆料通过丝网印刷的方式转印到基片上烧结成瓷,即得磁电复合介质厚膜。该磁电复合介质厚膜材料在1MHz下介电常数为50～283,介电损耗为0.1％～0.4％,介电可调率为0.2％～5％,饱和磁化强度为8～46emμ/g,矫顽场为27.1～30.4G。
