[00127254]碳化硅晶体生长模拟与控制系统
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技术详细介绍
作为第三代半导体代表性材料,碳化硅晶体在军工、航空航天,核能、新能源等领域有不可替代的作用。但现有的生长装备设计、工艺所生长出的碳化硅晶体成品率在30%-40%之间,且有诸多如微管、位错等缺陷。因此,碳化硅晶体的成品率以及晶体质量是制约第三代半导体材料展的关键瓶颈技术。 针对此背景,山东省科学院能源研究所联合山东大学、山东天岳晶体材料有限公司开展的“碳化硅晶体生长非线性模拟与控制系统”课题研究,通过本项目所形成的关键技术,首先形成了碳化硅晶体生长炉温度场模拟的通用数值模拟平台,为生长炉结构参数、工艺参数设计改进提供了工具支撑;其次依据模拟结果提出了改造方案,用改造后的生长炉及工艺生产了4英寸和6英寸碳化硅晶体,表征结果表明,改造后的生产炉及工艺更稳定,为生产出高质量的4英寸和6英寸碳化硅晶体奠定了技术基础。
