[00128163]SiGe/Si异质结双极晶体管

该项目是研究SiGe/Si异质结双极晶体管及其IC和超高速应用。属于信息技术学科领域。自80年代中期以来发展起来的SiGe/Si异质结器件，由于其具有很高的ft，fm和低噪声，特别是与Si工艺兼容，便于制作和集成( 特别是容易集成），故这种器件及其IC有极广阔的发展前景，并在数字电路、微波电路和低噪声系统中，有很大的应用价值，例如：可用于上述技术中的微弱信号接收装置的低噪声放大、混频、调频、发送装置的各级功率放大等各种信息高频电路和超高速计算以及信息处理等超高速电路中。该课题研究的主要特点是，我们提出了创新的物理思想和全新的器件结构：(一)采用基区量子阱输运的新结构，从根本解决了器件参数之间的互相制约，大大增加了基区载流子横向输运速度，大幅度降低了基区电阻率。(二)在SiGe/Si基区中，Ge组分是变化的，从而形成很强的电子输运的加速场，使电子通过基区的渡越时间进一步缩短。(三)用侧壁氧化，形成隔离墙的自对准工艺，进一步缩短了空穴的横向运动距离。以上措施的综合效果大大提高了ft和fm，降低了器件的噪声。特别是由于新的物理构想和新的器件结构，使得在相同的工艺条件下，研制出器件的性能和普通结构相比具有很大的提高(如ft可提高几倍)，这就使器件更具有市场竞争力，可创造大的经济效益。