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该发明为一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法,属于陶瓷材料制备领域。其采用大功率激光作为直接辐照源原位扫描Ta2O5基陶瓷坯体,以190~350w/cm^2的低功率密度在30~185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热;预热结束后,调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850~1405w/cm^2,进行烧结;经过25~95s的烧结后,激光关闭,样品冷却成瓷。该发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高,介电损耗小,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结,制备样品的纯度高。