[00128697]制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系(中科院)
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技术详细介绍
工作于2-4微米的锑化镓基半导体量子阱激光器和探测器在痕量气体监测、医学诊断等方面有重要的应用。镓砷基含锑高速电子器件是高速数字处理系统的关键器件。由于目前用于含锑化合物半导体的化学腐蚀液在器件工艺中难于控制，因而器件工艺受到许多限制，影响了器件性能，本发明研发了制备锑化镓基半导体器件用的新化学腐蚀液，它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种体系。盐酸系腐蚀液组成为盐酸、酒石酸和水；氢氟酸系腐蚀液组成为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液组成为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液具有不破坏光刻胶掩膜，腐蚀速率适中可控(小于1μm/min)，与器件工艺兼容等特点，能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系Ⅲ-Ⅴ族锑化物的台面腐蚀，五年多来应用本发明已成功地研制出2-2.1 微米中红外室温连续AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb多量子阱激光器和1.8-2.5 微米室温PIN探测器等器件。
