X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们 | 帮助中心
欢迎来到天长市科技大市场,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00128707]直接掺氮直拉硅单晶

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述

技术详细介绍

从化学反应动力学观点出发认为降低气压是所代大直径单晶生长技术的,则降你气压又可以减弱化学反应。因此断定用氮作保护气是得探讨并可能获得成功,经过初步试验,认为是可行的,便首先登记了发明专利。为进行深入的研究,使设想变为现象,他们于1987年申请了国家自然科学基金用该法生产的硅单晶质量稳定、单昌成品率高达90%左右,有效成品率达65%以上,并为器件生产厂家紧密结合,已经在二极管、整流器、可控硅、大功率晶体管、电力电子器件GTR和集成电路生产中获得实际应用,不仅满足了器伯生产的要求,而且由于含碳量低,为器件质量和成品率的提高提供了保证。

推荐服务:

Copyright  ©  2019    天长市科技大市场    版权所有

地址:滁州高新区经三路

皖ICP备2023004467