[00129257]高亮度发光二极管芯片
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技术详细介绍
1、该项目采用非直线型台面和n区边缘，增大LED管芯边缘长度，以增大边缘出光量，提高外量子效率，最终提高发光二极管发光强度。2、利用电子回旋共振（ECR）高密度等离子刻蚀，采用各向同性化学刻蚀方式，使发光二极管表面钝化层无序粗糙化，加大正面出光率。3、发光二极管表面钝化层采用双层生长技术，底层高温生长，表面粗糙化处理，使得粘附牢固，出光率高；上层低温生长，保护pn结区。4、该项目采用新工艺后器件的发光强度比传统工艺提高了30～50％，正向电压小于3.5V，蓝光的发光功率大于6mW。
