[00129344]用于超低功耗相变存储器的Bi掺杂相变异质结超晶格制备及自愈机制研究
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技术详细介绍
面向低功耗、快速度和高密度超晶格相变存储器应用的GeTe/Sb2Te3是当前传统功能存储材料,但是其界面存在组分变化、Ge/Sb元素混合和分相行为及空洞缺陷等问题限制其进一步应用。本项目瞄准大数据时代下高速爆增的信息存储面临的超低功耗、超快速度、超高密度稳定应用要求,提出基于相变异质结的新型掺杂超晶格研究。拟采用具有相变功能的p型ZnSb材料,通过Bi离子调控其电导类型,探索其界面在纳米尺度下原子排列结构,阐明相变机理。利用异质结超晶格良好的界面特性,实现电输运态稳定可控输出,达到数据存储目的。运用双极运行模式控制元素分离过程,实现空洞缺陷自愈。最终获得超低功耗、超快速度、超高密度的存储材料及器件。
