[00129644]N4高效多晶硅片技术开发

随着多晶硅片效率门槛的进一步提高,高效多晶硅片已成为市场的主流产品,目前高效硅片最高效率已超过18%。高效多晶技术的关键在于降低晶体中的位错和其他缺陷。业界生产高效多晶效率基本都在17.9-18.1%之间,更高效率的硅片已成为行业的发展方向,目前硅片市场上每张多晶硅片转换效率提高0.1%,其价格相应可以提高0.1元,硅片转换效率的提升成为提高硅片厂市场竞争力的重要途径之一。 本项目通过优化铸锭工艺,改善铸锭炉热场,优化铸锭工艺等途径,消除靠近坩埚区域硅片的黑边,改变硅片内晶粒分布方向,改善硅锭晶粒垂直性,最终使N4多晶硅锭硅片的转换效率高于目前的我司N3（效率：18.1%）硅片0.1%以上,量产效率达到18.2%以上。 本项目围绕黑边、位错、晶粒方向这三个因素,采用同步进行的研究方法,通过工艺改进、热场改进。对每种方案的硅锭进行效率评估,进而找出每种方案的最佳优化工艺,分析各方案对硅片效率的影响,找出各方案与硅片转换效率的影响关系,再结合各种方案的优势,最后给出一个提升得率、保证效率的方案,以达到本项目的整个实验目的。硅片的转换效率的提升是目前行业发展的一个必然趋势,本项目预期可以提高多晶硅片的转换效率,进而提升硅片厂的市场竞争力。目前N4实验硅片电池转换效率已达到18.2%以上达到项目要求。硅片的转换效率的提升是目前行业发展的一个必然趋势,本项目预期可以提高多晶硅片的转换效率,进而提升硅片厂的市场竞争力。目前N4实验硅片电池转换效率已达到18.2%以上达到项目要求。