[00130236]基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;生长第一Ge层;生长第二Ge层;利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀形成位于中间位置的多个Ge台阶;在第二Ge层表面淀积Si3N4材料,选择性刻蚀Si3N4材料,保留多个Ge台阶的Si3N4材料形成Si3N4阻挡层;在第二Ge层表面利用化学气相淀积法生长Ge0.73Si0.24C0.03合金材料;去除Si3N4阻挡层,以形成直接带隙改性Ge材料。本发明提供了一种Ge1-x-ySixCy选择外延致Ge直接带隙半导体的实现方法,由于Ge的晶格常数大于Ge1-x-ySixCy的晶格常数,因此利用晶格失配致应力原理,在刻蚀出的Ge四周选择性外延Ge1-x-ySixCy,将对中心区域Ge半导体引入双轴张应力。
