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本成果是一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构,套管式腔体采用多层管子相套而成的结构,内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数,控制套管之间的间隙和各层套管的长度,并采用在套管开口处加塞等辅助手段,该工艺腔体能有效减小腔体内源材料的泄漏,改善材料制备工艺的稳定性和工艺状态的均匀性。通过对外层套管的设计,并适当选择工艺腔体各部分的温度分布,套管式工艺腔体还具有对泄漏出来的源材料进行收集的功能,减少源材料泄漏对材料制备系统的污染。本发明弥补了普通开管式材料制备工艺中源材料泄漏量大的不足,规避了闭管式材料制备工艺的高成本,特别适用于材料的批生产制备工艺。