[00131677]基于微流原理的通孔互联填充技术
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技术详细介绍
硅通孔互连（TSV）是穿透基片的垂直电互连技术,是先进封装中极其重要的技术。通孔互连可以显著减少器件的封装尺寸,降低能耗和提供更好的抗噪性能。在通孔互连制造中,通孔填充是难度最大的一步。铜电镀是目前研究最成熟使用最广泛的通孔填充方法。但这种原子层级的沉淀技术从本质上限制了其填充的速率。使用压力差将液态合金填充入通孔具有速度快成本低的优势,非常适合于几十到几百微米尺寸通孔的填充。但现在的合金填充方法存在着填充质量低,填充过程不清洁以及无法扩展到圆片级等问题。本项目提出并研究利用微流（Micro-fluidic）的微液滴分离技术,实现填入通孔中的微合金柱与合金液面的可控“切割“,从而可以显著的提高合金填充的质量。此外使用的“三明治”结构不仅保证了填充过程的清洁性,而且消除了填充片两面的压力差从而可以使这种方法扩展到圆片级。本项目的研究将极大的提高合金填充作为通孔互联制造的可行性。
