[00131838]钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法,制备方法包括以下步骤：步骤一：清洗Si/SiO2衬底表面;步骤二：通过射频磁控溅射方法在清洗好的衬底表面溅射钇铁石榴石薄膜,其中,靶材为Y3Fe5O12,本底真空低于4.0×10-4Pa,溅射气体为O2、N2和Ar中的至少一种,溅射气压为1.5～3.0Pa,衬底温度为室温～600℃,溅射功率为60～150W;步骤三：对步骤二制得的钇铁石榴石薄膜进行后退火处理。采用本发明的方法制备的薄膜材料具有结构致密不开裂、饱和磁化强度可与陶瓷比拟、介电损耗低、矫顽力低、居里温度远高于室温等优点。
