[00131861]一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法
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种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法,适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质,设计了一种中部有缩颈的坩埚,并使晶体在坩埚内自上向下生长,当熔体凝固到坩埚缩颈处时,晶体被缩颈固定住,不再下滑,由于体积缩小,坩埚缩颈以下的晶体的直径小于坩埚的内径,晶体与坩埚壁分离,晶体直径越大,晶体与坩埚壁之间的间隙越大,分离越明显。本发明的优点在于晶体生长的直径大,质量优。
