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近几年来,随着微电子、光学、光电子等领域的快速发展,越来越高的集成度,越来越复杂的器件结构,对于薄膜工艺提出了越来越苛刻的要求,原子层沉积技术能够提供绝佳的生产流程控制、薄膜的一致性、覆盖率、纯度以及较低的加工温度,因而成为了越来越关键的一项重要技术手段,正逐渐成为了多种器件制造领域的必须。 近几年,随着原子层沉积应用需求增长,购置原子层沉积设备的国内机构大幅度上升,但是基本被国外主要几家大厂垄断,昂贵的价格,极大的制约了国内相关技术的应用推广。目前国内能够进行自主研发原子层沉积的单位屈指可数,并且也主要集中于小型科研型原子层沉积设备的开发,大尺寸设备尚未有成熟产品。所以面对半导体、光伏等工业的发展方向,自主开发的大尺寸(12英寸及以上)的原子层沉积设备的需求迫在眉睫。 开发了12英寸原子层沉积系统,在大尺寸原子沉积系统方面,从结构设计到控制系统均具有自主知识产权,解决了大尺寸下原子层沉积均匀性问题,同时实现了批次加工能力,取得了国内在大尺寸原子层沉积设备研发方面的重要突破。 基于12英寸大尺寸ALD系统的开发需求,设计了圆柱形内外双腔体结构,满足最大尺寸直径300 mm基片,竖直放置,10片以上批次加工,同时可满足大尺寸的复杂零部件的表面薄膜加工;反应腔温度可加热至400℃,能够满足目前大多数ALD薄膜的制备需求;腔体采用独特的优化设计,能够有效的确保腔体内部气流的均匀性,确保薄膜制备的均匀性;反应腔体采用可拆卸结构,方便长期使用过程中,及时的进行清洗。 设备配备有5路前驱体气源,其中2路气源可加热至200℃,能够满足多种不同薄膜的制备,可实现2-4元复合薄膜的规模化制备,可以实现薄膜制备工艺的精确控制与设计。 采用高性能西门子S7-300 PLC控制系统,对ALD系统进行全过程全自动控制,确保了系统的长期稳定性,能够满足工业批量化生产的需求,同时通过计算机界面可方便的对薄膜制备工艺进行任意的精确设定,具有较好的用户体验。