[00132455]界面修饰对硅衬底上高分子半导体膜中分子取向的调控研究

作为绿色清洁、可持续发展能源的重要组成之一,太阳能电池,当前在世界上安装的硅太阳电池发电站的规模与数量都在不断增长中。相比已经工业化很成熟的硅太阳能电池,各种薄膜太阳能电池技术,像碲化镉、铜铟镓硒、有机太阳能电池也在不断研究与发展中。有机/硅杂化电池结合了硅材料的高载流子迁移率与能量转换效率以及有机半导体的低成本、工艺简单方便的优势,有可能转变为新一种低成本、高效率、绿色环保的太阳能电池技术。基于此,国际上众多研究小组在有机/硅杂化电池这一课题上投入了很大的关注与研究精力。有机/无机界面修饰层被广泛应用来改变杂化电池中各个界面的物理与化学特性。界面修饰可以调控电子供体与电子受体之间界面的能量偏移;可以与无机衬底表面的悬空键发生化学反应起到钝化作用;可以抑制复合,促进激子在界面上分离。 采用有机小分子、无机过渡层来修饰Si/PEDOT：PSS界面,改变界面的物理与化学特性,增强硅衬底与高分子的相互作用,促使PEDOT：PSS的苯环面尽可能与硅表面平行排列,提高有机薄膜中在与衬底垂直方向上的载流子迁移率,改善Si/PEDOT：PSS杂化电池中各功能层的能级排列,从而优化杂化电池的各性光伏性能参数;研究制备高效Si/PEDOT：PSS的工艺。