[00132541]一种提高直拉硅单晶生产效率的方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种提高直拉硅单晶生产效率的方法,包括以下步骤： 1、硅原料及掺杂剂准备; 2、装料; 3、单晶炉炉内处理：按直拉法常规处理工艺,依次完成合炉、抽真空、熔料、引晶、放肩、转肩和等径生长过程; 4、后期处理,过程如下：首先、关闭单晶炉的石墨热场系统,使单晶炉的加热功率降至零;之后,石英坩埚内剩余硅熔体表面开始结晶,且待结晶快接触硅单晶晶体时,将晶体快速提离硅熔体液面;最后,进行晶体提升及取晶,获得硅单晶成品。 本发明设计合理、方法步骤简单、实现方便且易于掌握、使用效果好,省略了晶体拉制的收尾过程,提高了生产效率,能解决硅单晶生产过程中因必须进行收尾工序使得直拉硅单晶生产效率受到限制的问题。
