[00134264]合成HCl水份含量控制

水份对三氯氢硅合成反应极为有害,因为Si—O键比Si—Cl键更为稳定,反应产物极易发生水解,使SiHCl3的产率降低,水解生成的硅胶会堵塞管道,使操作发生困难,水解产生的盐酸对设备有强烈的腐蚀作用。水份还能在硅粉表面形成一层致密的氧化膜,影响反应的正常进行,使产物中的三氯氢硅含量降低。如硅粉和氯化氢中水分含量越大,反应产物中的三氯氢硅含量愈低。当氯化氢中的水份含量0.1﹪时,则反应后粗品中三氯氢硅含量小于80﹪;当水份含量0.05﹪时,粗品中三氯氢硅含量接近90﹪,因此合成的氯化氢气体必须干燥脱水。 该项目利用四氯化硅与水反应原理脱除氯化氢气体中少量水份。反应式如下： SiCl4+4H2O=H4SiO4+4HCl 在有温度情况下,H4SiO4=2H2O+ SiO2 将储罐来的四氯化硅用氮气压送到四氯化硅汽化罐进行汽化,控制汽化器的压力和温度,控制极少量的四氯化硅气体进入混合反应器与合成氯化氢进行反应混合,进入二氧化硅分离器进行分离,除去水份后的氯化氢去三氯氢硅合成炉进行反应。经过上述处理后,氯化氢气体中水份完全脱除,控制在50ppm以下。