[00134832]InGaNAs退火蓝移特性研究
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技术详细介绍
该项目建立了InGaNAs和InGaNP Annealing物理模型,得到了InGaNAs合金和InGaNP Annealing合金中N原子周围最近邻In原子数目与组分和退火温度的定量关系,建立了In-N键形成能物理模型,深入探讨了N原子周围最近邻In原子数目变化,In-N键形成能、N能级和光谱蓝移之间的关系。在此基础上,建立了量化InGaNAs退火光谱蓝移量与退火温度和组分的模型。
