[00135051]槽栅半导体功率器件
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技术详细介绍
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题,提供了一种槽栅半导体功率器件,其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件,其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区,半导体漂移区中第一半导体区的两侧与两个第二半导体区相接触,两个高K介质区分别与两个第二半导体区的另一侧相接触。本发明的有益效果是,降低比导通电阻,提高耐压,适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。
