[00136498]若干宽带隙A2IIIB3VI基半导体的能带结构、微结构与热电特性
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技术详细介绍
本项目主要研究一类宽禁带A2IIIB3VI半导体（Ga2Te3, In2Te3）的能带结构、微结构及与热电特性的关联性研究,时间从2012.1-2015.12。 经过四年的研究,基本完成了项目设定的三个具体内容和三个具体目标。获得了若干种在中高温区具有较高热电性能的二元宽带隙热电材料,例,n 型α-In2Se3基热电材料（ZT=1.23±0.22）,p-型Ga2Te3基热电材料（ZT=0.55）。前者已经达到了目前国内外中高温热电材料中较高的性能,具有较大的产业化应用前景。 从学术角度,揭示了在宽带隙半导体内部掺杂后缺陷的形成、转移、湮灭及对能带结构和载流子、声子输运的影响机制;及若干宽带隙半导体材料可以作为优良热电材料的事实。 项目完成后,共发表了18篇SCI/EI论文,其中14篇论文发表在国际重要刊物上。授权发明专利6项。关于宽带隙热电材料研究得到了国内外同行的高度关注。
