[00136542]一种IGZO靶材专用氧化镓粉末的制备方法

氧化镓是一种透明传导氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景,主要用于生产发光材料,晶体材料,催化剂及其他制品。IGZO（Indium Gallium Zinc Oxide）为氧化铟镓锌的缩写,它是一种薄膜电晶体技术,是指在TFT-LCD主动层之上,打上一层金属氧化物。IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物面板技术的一种,适用于制作高迁移率薄膜晶体管。 目前制备超细氧化镓粉末的方法主要有：1、化学法,由于生产过程中使用了强酸（硫酸或硝酸）,故生产危险性大,对环境污染大,化学法操作复杂,产量低,且化学法生产的超细氧化铋易团聚。2、电化学法,由于生产过程中使用了碱液,不可避免的带入了碱金属或碱土金属离子,影响氧化镓的纯度,且生产周期长。3、溶胶凝胶法,需用到硝酸,操作中的危险性大,对环境污染大,且操作复杂,产量低。 针对现有技术中超细氧化镓粉末的制备方法存在环境污染、纯度低,操作复杂等一系列的缺陷,本发明的目的是在于提供一种操作简单、低成本、不污染环境的制备高纯度、粒径小、且分布均匀的IGZO 靶材专用氧化镓粉末的方法,该方法满足工业化生产。 本发明提供了一种IGZO 靶材专用氧化镓粉末的制备方法,该方法通过氧化喷嘴实现金属镓的氧化和粉碎,所述的氧化喷嘴中央设有圆形金属液孔,圆形金属液孔四周均匀分布有4 个气流孔,所述气流孔沿圆形金属液孔轴心20~40°夹角方向设置;进行金属镓的氧化和粉碎时,将金属镓加热到250~350℃后,从圆形金属液孔流出,同时,从所述的4 个气流孔中同时以5~10MPa 的压力喷出250~350℃热空气,液态金属镓在气流交汇处被气流冲击、剪切,同时进行氧化反应,形成平均粒径为2.5~3μm 的氧化镓粉末。