[00137094]槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、源场板（9）、漏场板（11）和保护层（12）,该漏场板与漏极电气连接,该源场板与源极电气连接,其中,势垒层（3）上开有凹槽（6）;源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板（10）。每个浮空场板大小相同,处于浮空状态,且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点,可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的功率器件。
