[00137802]准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
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技术详细介绍
本发明提出了一种准绝缘体上的硅（SOI）金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的新结构及实现方法。其特征在于源漏区下方埋氧是连续的；而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的工艺过程是：（1）在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子；（2）在器件沟道区光刻生成掩模；（3）在源漏区第二次注入离子，使源漏区注入的总剂量达到最优剂量；高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧，沟道区下方形成非连续的埋氧；（4）常规CMOS技术完成器件制作。由于沟道下方的埋氧是非连续的，沟道和硅衬底之间电耦合，从而克服了SOI MOSFET器件的浮体效应和自热效应二大固有缺点。
