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该项目旨在运用微光学结构的理论和概念,立足于上海蓝光公司在发光二极管(LED)方面积累的成熟工艺和完备的生产条件,吸取北京大学在半导体微腔研究、光子晶体研究、微光学结构研究方面的学术成果和发明专利,研究和开发具有微光学结构的高效率发光二极管。从根本上找到提高LED的外量子效率的途径,从而大幅度提高LED的出光率和发光强度,更好地配合半导体固体照明应用产品的开发。该项目采用高亮度蓝光LED结构外延片,通过对芯片结构进行电流扩展、出光面积等优化设计,合理封装以提高出光效率和加大热沉散热,制造出1mm×1mm尺寸以上的功率型蓝光LED。该LED发光波长在465~480nm,最大工作电流达到300mA以上,功率大于15mW。在过去的两年间,全球高亮度发光二极管市场发展迅速,年均增幅超过25%,特别是2003年我国开展国家半导体照明工程项目以来,氮化镓基LED有了长足的发展。根据权威机构预测,在未来的五年里,高亮度发光二极管市场仍将保持20%以上的年增长速度。特别是氮化镓基蓝光LED,作为白光LED的基础,潜在市场是在照明产品上的应用。虽然受目前成本和性能指标水平的制约,几年后有可能大范围的应用在照明市场,其市场潜力是非常巨大的。该项目旨在运用微光学结构的理论和概念,立足于上海蓝光公司在发光二极管(LED)方面积累的成熟工艺和完备的生产条件,吸取北京大学在半导体微腔研究、光子晶体研究、微光学结构研究方面的学术成果和发明专利,研究和开发具有微光学结构的高效率发光二极管。从根本上找到提高LED的外量子效率的途径,从而大幅度提高LED的出光率和发光强度,更好地配合半导体固体照明应用产品的开发。