[00138116]一种金刚石膜抛光方法

①课题来源与背景 ： 本企业课题来源是自主立项。 近年来,低压化学气相沉积（CVA）金刚石薄膜技术得到迅速发展,研究开发了诸如灯丝热解CVA法、微波等离子体CVA法和燃焰法等多种金刚石薄膜合成方法。根据不同的沉积方法和沉积条件,在1~980um/h的沉积速度下,可得到厚度为0.5~1000um的薄（厚）膜,可沉积出直径达300mm的大面积金刚石膜,为金刚石膜的广泛应用奠定了基础。由于气相沉积的金刚石膜为多晶膜,晶料较多,表面凹凸不平,在许多情况下不能直接使用,因而金刚石膜的光整加工（抛光）是必不可少的重要工艺步骤。由于金刚石膜硬度高、厚度薄、整体强度低,因此抛光效率低,且膜极易破裂及损伤,加工难度较大。 ②技术原理及性能指标： 本发明的目的是提供了一种金刚石膜抛光方法,采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲,使之在工件与阴极之间产生半聚集的电子束,同时容器保持一定的真空度,电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度公为5um的极薄金刚石膜,加工速度约为10~40nm/min。 本发明采用的技术方案如下： 一种金刚石膜抛光方法,所述的金刚石膜抛光方法,第一步制作一个密封容器; 第二步,在密封容器内设置铝板阴极,所述的铝板阴极具有圆弧面,圆弧直径为72mm,曲率为1/36,阴极安装在一个水冷装置上,并与直流电源相连; 第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架,将金刚石膜安装在托架上;托架上连接等离子体发生装置,阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化,由于阴极为圆弧面,所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲,使之在工件与阴极之间产生半聚集的电子束; 第四步向密封容器内通入氧气和氢气,并保持一字一的真空度。 所述的密封容器上端面上设有观察口。 所述的水泠装置为铜制成的冷却套,冷却套上设有进水口和出水口。 所述的密封容器内设有压力传感器。 ③技术的创造性与先进性： 与已有技术相比,本发明的有益效果如下： 本发明采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲,使之在工件与阴极之间产生半聚集的电子束,同时容器保持一定的真空度,电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度公为5um的极薄金刚石膜,加工速度约为10~40nm/min。 ④技术的成熟程度,适用范围和安全性 本技术成熟程度比较高,适用范围多在工业领域,无安全隐患。 ⑤应用情况及存在的问题：无。 ⑥历年获奖情况：无。